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SIS443DN-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 40V, 35A, PPAK1212-8
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS443DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark19X1957
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.520 |
| 25+ | $ 1.700 |
| 50+ | $ 1.460 |
| 100+ | $ 1.220 |
| 250+ | $ 1.120 |
| 500+ | $ 1.020 |
| 1000+ | $ 0.954 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS443DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark19X1957
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.0117ohm
On Resistance Rds(on)0.0097ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd52W
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0117ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
On Resistance Rds(on)
0.0097ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
52W
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (3)
Alternativas para SIS443DN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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