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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS412DN-T1-GE3.Cópia
Código Newark15AC0289
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.263 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 3000
Vários: 3000
$ 789.00
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS412DN-T1-GE3.Cópia
Código Newark15AC0289
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd15.6W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation15.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (19-Jan-2021)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Power Dissipation Pd
15.6W
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation
15.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIS412DN-T1-GE3.
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Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Não
Ftalatos compatíveis com RoHS:Não
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (19-Jan-2021)
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Certificado de conformidade do produto
