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SIS110DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 14.2A, 150DEG C, 24W
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS110DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rolo completo59AC7459
Rodo à Medida78AC6534RL
Segmento de fita78AC6534
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.290 | $ 1.29 |
| Total Preço | $ 1.29 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.290 |
| 10+ | $ 0.808 |
| 25+ | $ 0.716 |
| 50+ | $ 0.623 |
| 100+ | $ 0.531 |
| 250+ | $ 0.472 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5000+ | $ 0.439 |
| 10000+ | $ 0.413 |
| 20000+ | $ 0.391 |
| 30000+ | $ 0.371 |
| 50000+ | $ 0.359 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS110DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rolo completo59AC7459
Rodo à Medida78AC6534RL
Segmento de fita78AC6534
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id14.2A
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Drain Source On State Resistance0.054ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd24W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation24W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14.2A
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
24W
Power Dissipation
24W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIS110DN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto