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SIRS700DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 127A, POWERPAK SO-8S
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIRS700DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark62AJ4913
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Seu número de peça
3,034 Em Estoque
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.700 |
| 10+ | $ 3.340 |
| 25+ | $ 3.050 |
| 50+ | $ 2.700 |
| 100+ | $ 2.380 |
| 250+ | $ 2.070 |
| 500+ | $ 1.810 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.70
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIRS700DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark62AJ4913
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id127A
On Resistance Rds(on)0.0028ohm
Drain Source On State Resistance3500µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd132W
Power Dissipation132W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0028ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
132W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
127A
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
132W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
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