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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.230 | $ 2.23 |
| Total Preço | $ 2.23 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.230 |
| 10+ | $ 1.440 |
| 25+ | $ 1.290 |
| 50+ | $ 1.140 |
| 100+ | $ 0.993 |
| 250+ | $ 0.903 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.549 |
| 10000+ | $ 0.540 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIRC10DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante25 semanas
Código Newark
Rolo completo20AC3880
Rodo à Medida15AC8638RL
Segmento de fita15AC8638
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel + Schottky
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.0029ohm
Drain Source On State Resistance3500µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation43W
Power Dissipation Pd43W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0029ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
43W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation Pd
43W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIRC10DP-T1-GE3
6 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (07-Nov-2024)
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