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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.040 | $ 3.04 |
| Total Preço | $ 3.04 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.040 |
| 50+ | $ 2.060 |
| 100+ | $ 1.520 |
| 250+ | $ 1.400 |
| 500+ | $ 1.280 |
| 1000+ | $ 1.210 |
| 2500+ | $ 1.190 |
| 5000+ | $ 1.160 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.982 |
| 9000+ | $ 0.951 |
| 15000+ | $ 0.885 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIRA90DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante55 semanas
Código Newark
Rolo completo01AM0544
Rodo à Medida15AC8636RL
Segmento de fita15AC8636
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)650µohm
Drain Source On State Resistance800µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd104W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
650µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
104W
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIRA90DP-T1-GE3
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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