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SIRA58ADP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 40V, 109A, 150DEG C, 56.8W
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIRA58ADP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark
Rolo completo81AC3477
Rodo à Medida99AC9570RL
Segmento de fita99AC9570
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 53 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.050 | $ 2.05 |
| Total Preço | $ 2.05 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.050 |
| 10+ | $ 1.380 |
| 25+ | $ 1.250 |
| 50+ | $ 1.120 |
| 100+ | $ 0.991 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.634 |
| 10000+ | $ 0.623 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIRA58ADP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark
Rolo completo81AC3477
Rodo à Medida99AC9570RL
Segmento de fita99AC9570
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id109A
On Resistance Rds(on)0.0022ohm
Drain Source On State Resistance2650µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd56.8W
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation56.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0022ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
109A
Drain Source On State Resistance
2650µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
56.8W
Power Dissipation
56.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIRA58ADP-T1-RE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto