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SIRA14DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, PPAK-SO8
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIRA14DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark63W4125
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.230 |
| 10+ | $ 0.800 |
| 25+ | $ 0.718 |
| 50+ | $ 0.636 |
| 100+ | $ 0.554 |
| 500+ | $ 0.448 |
| 1000+ | $ 0.414 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIRA14DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark63W4125
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance5100µohm
On Resistance Rds(on)0.00425ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd31.2W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Power Dissipation31.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
5100µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
31.2W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
On Resistance Rds(on)
0.00425ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
31.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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