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SIR882DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 60 A, 0.0087 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR882DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3813
Segmento de fita94T2661
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 41 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 1.510 | $ 4,530.00 |
| Total Preço | $ 4,530.00 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 1.510 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 1.630 |
| 4000+ | $ 1.510 |
| 6000+ | $ 1.470 |
| 10000+ | $ 1.430 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR882DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3813
Segmento de fita94T2661
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.0087ohm
On Resistance Rds(on)0.0071ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd5.4W
Transistor Case StylePowerPAK SO
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation5.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The SIR882DP-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC primary side switch, telecom/server and full/half-bridge DC-to-DC applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicações
Industrial, Power Management, Communications & Networking
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0087ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
5.4W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
On Resistance Rds(on)
0.0071ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation
5.4W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIR882DP-T1-GE3
6 produtos encontrados
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto