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SIR880BDP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 80V, 70.6A, 150DEGC, 71.4W
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR880BDP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark50AJ6062
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 53 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.930 |
| 10+ | $ 1.950 |
| 25+ | $ 1.780 |
| 50+ | $ 1.590 |
| 100+ | $ 1.420 |
| 250+ | $ 1.300 |
| 500+ | $ 1.180 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.93
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR880BDP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark50AJ6062
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id70.6A
On Resistance Rds(on)0.0053ohm
Drain Source On State Resistance6500µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation71.4W
Power Dissipation Pd71.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.0053ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
71.4W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
70.6A
Drain Source On State Resistance
6500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation Pd
71.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto