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SIR836DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 21 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR836DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark86R3808
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 37 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.370 |
| 5000+ | $ 0.362 |
| 10000+ | $ 0.334 |
| 20000+ | $ 0.311 |
| 30000+ | $ 0.290 |
| 50000+ | $ 0.278 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 3000
Vários: 3000
$ 1,110.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR836DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark86R3808
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
On Resistance Rds(on)0.015ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd15.6W
Transistor Case StylePowerPAK SO
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation15.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
15.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
On Resistance Rds(on)
0.015ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation
15.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIR836DP-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto