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SIR826DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 60 A, 0.0048 ohm, SOIC, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR826DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante40 semanas
Código Newark
Rolo completo65T1668
Segmento de fita94T2658
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 40 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 1.350 | $ 4,050.00 |
| Total Preço | $ 4,050.00 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 1.350 |
| 6000+ | $ 1.320 |
| 9000+ | $ 1.300 |
| 15000+ | $ 1.270 |
| 30000+ | $ 1.240 |
| 75000+ | $ 1.220 |
| 150000+ | $ 1.190 |
| 300000+ | $ 1.160 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 1.840 |
| 9000+ | $ 1.800 |
| 15000+ | $ 1.770 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR826DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante40 semanas
Código Newark
Rolo completo65T1668
Segmento de fita94T2658
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.0048ohm
On Resistance Rds(on)0.004ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd104W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
The SIR826DP-T1-GE3 is a 80VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for fixed telecom, DC-to-DC converter, POL and primary and secondary side switch applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicações
Industrial, Power Management, Communications & Networking
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0048ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
On Resistance Rds(on)
0.004ohm
Power Dissipation Pd
104W
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto