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SIR800ADP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 177A, 20V, POWERPAK SO
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR800ADP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark99AC9576
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.920 |
| 10+ | $ 1.990 |
| 25+ | $ 1.810 |
| 50+ | $ 1.630 |
| 100+ | $ 1.450 |
| 500+ | $ 1.210 |
| 1000+ | $ 1.140 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.92
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR800ADP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark99AC9576
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id177A
On Resistance Rds(on)0.00112ohm
Drain Source On State Resistance1350µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd62.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation62.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.00112ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
62.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
177A
Drain Source On State Resistance
1350µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos