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SIR662DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 60 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR662DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark
Rolo completo65T1666
Rodo à Medida83T3534RL
Segmento de fita83T3534
Seu número de peça
3,000 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.100 | $ 2.10 |
| Total Preço | $ 2.10 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.100 |
| 25+ | $ 1.370 |
| 50+ | $ 1.190 |
| 100+ | $ 1.010 |
| 250+ | $ 0.924 |
| 500+ | $ 0.840 |
| 1000+ | $ 0.794 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 1.300 |
| 4000+ | $ 1.210 |
| 6000+ | $ 1.170 |
| 10000+ | $ 1.140 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR662DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark
Rolo completo65T1666
Rodo à Medida83T3534RL
Segmento de fita83T3534
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.0027ohm
On Resistance Rds(on)0.0022ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd104W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The SIR662DP-T1-GE3 is a 60V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in synchronous rectification, primary side switch, amusement system, DC/DC converter and point of load converter circuits. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mΩ and with the capability to handle 85A.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Low Qg for high efficiency
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
On Resistance Rds(on)
0.0022ohm
Power Dissipation Pd
104W
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIR662DP-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto