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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR606BDP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante45 semanas
Código Newark
Rodo à Medida50AC9659RL
Segmento de fita50AC9659
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
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19,508 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.190 | $ 2.19 |
| Total Preço | $ 2.19 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.190 |
| 50+ | $ 1.410 |
| 100+ | $ 0.962 |
| 250+ | $ 0.876 |
| 500+ | $ 0.789 |
| 1000+ | $ 0.712 |
| 2500+ | $ 0.672 |
| 5000+ | $ 0.631 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR606BDP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante45 semanas
Código Newark
Rodo à Medida50AC9659RL
Segmento de fita50AC9659
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id38.7A
Drain Source On State Resistance0.0174ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation62.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
38.7A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0174ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Alternativas para SIR606BDP-T1-RE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
