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SIR466DP-T1-GE3
MOSFET, N CH, 30V, 0.0029OHM, 40A, SOIC
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR466DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark97W2609
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.000 |
| 10+ | $ 1.350 |
| 100+ | $ 0.960 |
| 500+ | $ 0.799 |
| 1000+ | $ 0.747 |
| 2500+ | $ 0.713 |
| 10000+ | $ 0.678 |
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Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR466DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark97W2609
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance3500µohm
On Resistance Rds(on)0.0029ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation Pd54W
Power Dissipation54W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
54W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
On Resistance Rds(on)
0.0029ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation
54W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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