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SIR422DP-T1-GE3
MOSFET,N CH,DIODE,40V,40A,PPAKSO8
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR422DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark23T8476
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.010 |
| 10+ | $ 1.350 |
| 100+ | $ 0.979 |
| 500+ | $ 0.817 |
| 1000+ | $ 0.801 |
| 2500+ | $ 0.784 |
| 10000+ | $ 0.768 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.01
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR422DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark23T8476
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance6600µohm
On Resistance Rds(on)0.0054ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation Pd5W
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
6600µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
On Resistance Rds(on)
0.0054ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIR422DP-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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