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SIR182DP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 60V, 0.06A, POWERPAK SO
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.150 | $ 3.15 |
| Total Preço | $ 3.15 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.150 |
| 50+ | $ 1.730 |
| 100+ | $ 1.580 |
| 250+ | $ 1.460 |
| 500+ | $ 1.340 |
| 1000+ | $ 1.280 |
| 2500+ | $ 1.260 |
| 5000+ | $ 1.230 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR182DP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante55 semanas
Código Newark
Rodo à Medida37AC0917RL
Segmento de fita37AC0917
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.0023ohm
Drain Source On State Resistance2800µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd69.4W
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation69.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0023ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
2800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
69.4W
Power Dissipation
69.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIR182DP-T1-RE3
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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