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SIR122DP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 59.6A, 80V, POWERPAK SO
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR122DP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante55 semanas
Código Newark99AC9571
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.050 |
| 10+ | $ 1.320 |
| 100+ | $ 0.963 |
| 500+ | $ 0.819 |
| 1000+ | $ 0.764 |
| 2500+ | $ 0.736 |
| 10000+ | $ 0.708 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.05
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR122DP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante55 semanas
Código Newark99AC9571
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id59.6A
Drain Source On State Resistance7400µohm
On Resistance Rds(on)0.0061ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd65.7W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max50°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
7400µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
65.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
59.6A
On Resistance Rds(on)
0.0061ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
50°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto