Imprimir página
SIJA58ADP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 109A, 40V, POWERPAK SO
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIJA58ADP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark
Rodo à Medida99AC9563
Segmento de fita99AC9563
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Seu número de peça
2,912 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.960 | $ 1.96 |
| Total Preço | $ 1.96 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.960 |
| 10+ | $ 1.300 |
| 25+ | $ 1.170 |
| 50+ | $ 1.040 |
| 100+ | $ 0.918 |
| 250+ | $ 0.837 |
| 500+ | $ 0.756 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIJA58ADP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark
Rodo à Medida99AC9563
Segmento de fita99AC9563
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id109A
Drain Source On State Resistance2650µohm
On Resistance Rds(on)0.0022ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd56.8W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation56.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
2650µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
56.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
109A
On Resistance Rds(on)
0.0022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
56.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIJA58ADP-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto