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SIJA54ADP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 126A, POWERPAK SO
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIJA54ADP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark
Rodo à Medida51AK3704RL
Segmento de fita51AK3704
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.150 | $ 3.15 |
| Total Preço | $ 3.15 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.150 |
| 10+ | $ 2.150 |
| 25+ | $ 1.960 |
| 50+ | $ 1.760 |
| 100+ | $ 1.570 |
| 250+ | $ 1.450 |
| 500+ | $ 1.320 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIJA54ADP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark
Rodo à Medida51AK3704RL
Segmento de fita51AK3704
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id126A
Drain Source On State Resistance2300µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
126A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
2300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto