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Tempo de Espera Habitual do Fabricante 23 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.910 |
| 10+ | $ 1.220 |
| 25+ | $ 1.080 |
| 50+ | $ 0.945 |
| 100+ | $ 0.810 |
| 500+ | $ 0.639 |
| 1000+ | $ 0.584 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.91
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHU5N80AE-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark77AH0226
Gama de produtosE
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id4.4A
On Resistance Rds(on)1.17ohm
Drain Source On State Resistance1.35ohm
Transistor Case StyleTO-251
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation62.5W
Power Dissipation Pd62.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
1.17ohm
Transistor Case Style
TO-251
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.4A
Drain Source On State Resistance
1.35ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto