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SIHU2N80AE-GE3
MOSFET, N-CH, 800V, 2.9A, IPAK
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 23 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.150 | $ 2.15 |
| Total Preço | $ 2.15 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.150 |
| 10+ | $ 1.390 |
| 25+ | $ 1.250 |
| 50+ | $ 1.100 |
| 100+ | $ 0.958 |
| 250+ | $ 0.872 |
| 500+ | $ 0.785 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHU2N80AE-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida93AH0387RL
Segmento de fita93AH0387
Gama de produtosE
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id2.9A
Drain Source On State Resistance2.9ohm
On Resistance Rds(on)2.5ohm
Transistor Case StyleTO-251 (IPAK)
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd62.5W
Power Dissipation62.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
2.9ohm
Transistor Case Style
TO-251 (IPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
62.5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.9A
On Resistance Rds(on)
2.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto