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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.760 |
| 10+ | $ 3.140 |
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| 50+ | $ 2.520 |
| 100+ | $ 2.210 |
| 500+ | $ 1.820 |
| 1000+ | $ 1.810 |
| 2500+ | $ 1.800 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHP24N80AE-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark64AH1457
Gama de produtosE
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.184ohm
On Resistance Rds(on)0.16ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation208W
Power Dissipation Pd208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.184ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
208W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
On Resistance Rds(on)
0.16ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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