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Tempo de Espera Habitual do Fabricante 22 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.330 |
| 10+ | $ 3.750 |
| 25+ | $ 3.280 |
| 50+ | $ 3.080 |
| 100+ | $ 2.670 |
| 250+ | $ 2.240 |
| 500+ | $ 2.170 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.33
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHP21N80AE-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark40AH1235
Gama de produtosE
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id17.4A
Drain Source On State Resistance0.235ohm
On Resistance Rds(on)0.205ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd32W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation32W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.235ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17.4A
On Resistance Rds(on)
0.205ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
32W
Power Dissipation
32W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto