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SIHP21N60EF-BE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 21 A, 0.176 ohm, TO-220AB, Through Hole
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 24 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 1.470 |
| 2000+ | $ 1.440 |
| 3000+ | $ 1.410 |
| 5000+ | $ 1.380 |
| 10000+ | $ 1.350 |
| 25000+ | $ 1.320 |
| 50000+ | $ 1.290 |
| 100000+ | $ 1.260 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1000
Vários: 1000
$ 1,470.00
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHP21N60EF-BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark78AH6652
Gama de produtosEF Series
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id21A
On Resistance Rds(on)0.153ohm
Drain Source On State Resistance0.176ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation227W
Power Dissipation Pd227W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
Notas
BE3 suffix indicates non China production - not subject to US import tariffs
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.153ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
227W
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Drain Source On State Resistance
0.176ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
227W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto