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SIHP17N80E-BE3
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 15 A, 0.29 ohm, TO-220AB, Through Hole
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 24 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 2.480 |
| 2000+ | $ 2.430 |
| 3000+ | $ 2.380 |
| 5000+ | $ 2.330 |
| 10000+ | $ 2.280 |
| 25000+ | $ 2.230 |
| 50000+ | $ 2.180 |
| 100000+ | $ 2.130 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1000
Vários: 1000
$ 2,480.00
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHP17N80E-BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark78AH6651
Gama de produtosE Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id15A
On Resistance Rds(on)0.25ohm
Drain Source On State Resistance0.29ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation208W
Power Dissipation Pd208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
Notas
BE3 suffix indicates non China production - not subject to US import tariffs
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.25ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
208W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
15A
Drain Source On State Resistance
0.29ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto