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SIHP12N50E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 10.5 A, 0.38 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.620 |
| 10+ | $ 1.460 |
| 100+ | $ 1.350 |
| 500+ | $ 1.140 |
| 1000+ | $ 1.080 |
| 2500+ | $ 1.050 |
| 5000+ | $ 1.030 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHP12N50E-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark43Y2398
Gama de produtosE
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id10.5A
Drain Source On State Resistance0.38ohm
On Resistance Rds(on)0.33ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd114W
Power Dissipation114W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
MSL-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.38ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
114W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10.5A
On Resistance Rds(on)
0.33ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
114W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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