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| 10+ | $ 3.590 |
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| 50+ | $ 3.390 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHP105N60EF-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante4 semanas
Código Newark39AH5583
Gama de produtosEF
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id29A
On Resistance Rds(on)0.088ohm
Drain Source On State Resistance0.102ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd208W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.088ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
Drain Source On State Resistance
0.102ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
208W
Power Dissipation
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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