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Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 21 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.430 | $ 1.43 |
| Total Preço | $ 1.43 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.430 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 1.430 |
| 4000+ | $ 1.320 |
| 6000+ | $ 1.280 |
| 10000+ | $ 1.250 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHJ8N60E-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rolo completo76Y1446
Rodo à Medida01AC4967RL
Segmento de fita01AC4967
Gama de produtosE
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.52ohm
On Resistance Rds(on)0.45ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation89W
Power Dissipation Pd89W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.52ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
89W
No. of Pins
4Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.45ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
89W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SIHJ8N60E-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto

