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|---|---|
| 1+ | $ 18.230 |
| 10+ | $ 11.520 |
| 25+ | $ 11.210 |
| 50+ | $ 10.890 |
| 100+ | $ 10.580 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHG80N60EF-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark99AC9561
Gama de produtosEF
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.032ohm
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd520W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation520W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Power Dissipation Pd
520W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
520W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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