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Tempo de Espera Habitual do Fabricante 5 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 16.170 |
| 10+ | $ 12.320 |
| 25+ | $ 11.640 |
| 50+ | $ 10.950 |
| 100+ | $ 10.270 |
| 250+ | $ 9.710 |
| 500+ | $ 9.150 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 16.17
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHG61N65EF-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante5 semanas
Código Newark26AK5800
Gama de produtosE Series
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id64A
On Resistance Rds(on)0.041ohm
Drain Source On State Resistance0.047ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation520W
Power Dissipation Pd520W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.041ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
520W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
64A
Drain Source On State Resistance
0.047ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
520W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto