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SIHG30N60E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 29 A, 600 V, 0.
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHG30N60E-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark19X1940
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 8.160 |
| 10+ | $ 7.350 |
| 25+ | $ 6.910 |
| 50+ | $ 6.440 |
| 100+ | $ 5.870 |
| 500+ | $ 5.460 |
| 1000+ | $ 4.960 |
| 2500+ | $ 4.700 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHG30N60E-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark19X1940
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.125ohm
On Resistance Rds(on)0.104ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd250W
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
250W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
On Resistance Rds(on)
0.104ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIHG30N60E-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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