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| 1+ | $ 5.520 |
| 10+ | $ 3.170 |
| 25+ | $ 2.990 |
| 50+ | $ 2.800 |
| 100+ | $ 2.620 |
| 500+ | $ 2.500 |
| 1000+ | $ 2.190 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHG24N80AE-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark21AJ6868
Gama de produtosE
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id21A
On Resistance Rds(on)0.16ohm
Drain Source On State Resistance0.184ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd208W
Power Dissipation208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.16ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
208W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Drain Source On State Resistance
0.184ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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