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SIHG052N60EF-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 48 A, 0.052 ohm, TO-247AC, Through Hole
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHG052N60EF-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark77AH0221
Gama de produtosEF IV Gen Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 8.280 |
| 10+ | $ 5.640 |
| 25+ | $ 5.360 |
| 50+ | $ 5.090 |
| 100+ | $ 4.810 |
| 250+ | $ 4.320 |
| 500+ | $ 3.830 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHG052N60EF-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark77AH0221
Gama de produtosEF IV Gen Series
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id48A
Drain Source On State Resistance0.052ohm
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation278W
Power Dissipation Pd278W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF IV Gen Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
278W
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF IV Gen Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
48A
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
278W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (07-Nov-2024)
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Certificado de conformidade do produto