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|---|---|
| 1+ | $ 4.300 |
| 10+ | $ 2.920 |
| 25+ | $ 2.700 |
| 50+ | $ 2.480 |
| 100+ | $ 2.260 |
| 500+ | $ 1.960 |
| 1000+ | $ 1.830 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHF18N50D-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark63W4111
Gama de produtosD
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id18A
On Resistance Rds(on)0.23ohm
Drain Source On State Resistance0.28ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd39W
Power Dissipation39W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeD
Qualification-
SVHCLead (19-Jan-2021)
Descrição geral do produto
- D series N-channel enhancement-mode power MOSFET
- Low area specific on-resistance
- Low input capacitance (Ciss)
- Reduced capacitive switching losses
- High body diode ruggedness
- Avalanche energy rated (UIS)
- Optimal efficiency
- Fast switching
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
0.23ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
39W
No. of Pins
3Pins
Product Range
D
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Drain Source On State Resistance
0.28ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (19-Jan-2021)
Documentação técnica (4)
Alternativas para SIHF18N50D-E3
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (19-Jan-2021)
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Certificado de conformidade do produto