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SIHD6N80E-GE3
MOSFET, N-CH, 800V, 5.4A, 150DEG C, 78W
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 22 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.000 | $ 3.00 |
| Total Preço | $ 3.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.000 |
| 50+ | $ 1.950 |
| 100+ | $ 1.340 |
| 250+ | $ 1.220 |
| 500+ | $ 1.090 |
| 1000+ | $ 1.000 |
| 2500+ | $ 0.981 |
| 5000+ | $ 0.962 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHD6N80E-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida78AC6520RL
Segmento de fita78AC6520
Gama de produtosE
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id5.4A
On Resistance Rds(on)0.82ohm
Drain Source On State Resistance0.94ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd78W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation78W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.82ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.4A
Drain Source On State Resistance
0.94ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
78W
Power Dissipation
78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto