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SIHD180N60E-GE3
MOSFET, N-CH, 19A, 600V, TO-252
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.650 | $ 3.65 |
| Total Preço | $ 3.65 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.650 |
| 10+ | $ 2.380 |
| 25+ | $ 2.140 |
| 50+ | $ 1.910 |
| 100+ | $ 1.670 |
| 250+ | $ 1.610 |
| 500+ | $ 1.530 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHD180N60E-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida41AH4756RL
Segmento de fita41AH4756
Gama de produtosE
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id19A
On Resistance Rds(on)0.17ohm
Drain Source On State Resistance0.195ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation156W
Power Dissipation Pd156W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.17ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
19A
Drain Source On State Resistance
0.195ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SIHD180N60E-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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