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SIHB15N60E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.290 |
| 10+ | $ 2.640 |
| 25+ | $ 2.420 |
| 50+ | $ 2.210 |
| 100+ | $ 1.990 |
| 250+ | $ 1.820 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHB15N60E-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark67W0170
Gama de produtosE
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id15A
On Resistance Rds(on)0.23ohm
Drain Source On State Resistance0.28ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd180W
Power Dissipation180W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
- E Series Power MOSFET
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Low input capacitance (Ciss
- Reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge (Qg)
- Avalanche energy rated (UIS)
- Used in SMPS, PFC and lighting
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.23ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
180W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
15A
Drain Source On State Resistance
0.28ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
180W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIHB15N60E-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
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Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto