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SIHB12N50E-GE3
MOSFET, N CHANNEL, 500V, 10.5A, TO-263-3
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 22 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.340 | $ 3.34 |
| Total Preço | $ 3.34 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.340 |
| 50+ | $ 2.990 |
| 100+ | $ 2.740 |
| 250+ | $ 2.490 |
| 500+ | $ 2.230 |
| 1000+ | $ 1.970 |
| 2500+ | $ 1.840 |
| 5000+ | $ 1.760 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHB12N50E-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida43Y2393RL
Segmento de fita43Y2393
Gama de produtosE
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id10.5A
On Resistance Rds(on)0.33ohm
Drain Source On State Resistance0.38ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd114W
Power Dissipation114W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
0.33ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
114W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
10.5A
Drain Source On State Resistance
0.38ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
114W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto