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SIHB120N60E-T5-GE3
MOSFET, N-CH, 600V, 25A, TO-263
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 6.320 | $ 6.32 |
| Total Preço | $ 6.32 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.320 |
| 50+ | $ 4.240 |
| 100+ | $ 3.260 |
| 250+ | $ 3.060 |
| 500+ | $ 3.050 |
| 1000+ | $ 2.990 |
| 2500+ | $ 2.930 |
| 5000+ | $ 2.870 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHB120N60E-T5-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida15AJ3205RL
Segmento de fita15AJ3205
Gama de produtosE
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id25A
On Resistance Rds(on)0.104ohm
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd179W
Power Dissipation179W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.104ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
179W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
179W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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