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SIHB105N60EF-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHB105N60EF-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante25 semanas
Código Newark77AH0217
Gama de produtosEF IV Gen Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.260 |
| 10+ | $ 2.730 |
| 25+ | $ 2.650 |
| 50+ | $ 2.560 |
| 100+ | $ 2.480 |
| 500+ | $ 2.070 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHB105N60EF-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante25 semanas
Código Newark77AH0217
Gama de produtosEF IV Gen Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.102ohm
On Resistance Rds(on)0.088ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation208W
Power Dissipation Pd208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF IV Gen Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.102ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
208W
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF IV Gen Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
On Resistance Rds(on)
0.088ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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