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| 10+ | $ 2.660 |
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| 50+ | $ 2.500 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHA105N60EF-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark77AH0215
Gama de produtosEF IV Gen
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id29A
On Resistance Rds(on)0.088ohm
Drain Source On State Resistance0.102ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation35W
Power Dissipation Pd35W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF IV Gen
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.088ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
35W
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF IV Gen
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
Drain Source On State Resistance
0.102ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
35W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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