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SIDR622DP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 150V, 56.7A, 150DEG C/125W
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.620 | $ 3.62 |
| Total Preço | $ 3.62 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.620 |
| 10+ | $ 2.350 |
| 25+ | $ 2.110 |
| 50+ | $ 1.880 |
| 100+ | $ 1.650 |
| 250+ | $ 1.510 |
| 500+ | $ 1.380 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIDR622DP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark
Rodo à Medida04AJ4574RL
Segmento de fita04AJ4574
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id56.7A
On Resistance Rds(on)0.0147ohm
Drain Source On State Resistance0.0177ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation125W
Power Dissipation Pd125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.0147ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
56.7A
Drain Source On State Resistance
0.0177ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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