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SIDR610EP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 200V, 39.6A/POWERPAK SO-DC
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIDR610EP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark47AK1667
Gama de produtosTrenchFET Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.180 |
| 10+ | $ 3.430 |
| 25+ | $ 3.100 |
| 50+ | $ 2.770 |
| 100+ | $ 2.440 |
| 250+ | $ 2.290 |
| 500+ | $ 2.130 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 5.18
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIDR610EP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark47AK1667
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id39.6A
On Resistance Rds(on)0.0239ohm
Drain Source On State Resistance0.0319ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-DC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation150W
Power Dissipation Pd150W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.0239ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO-DC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
39.6A
Drain Source On State Resistance
0.0319ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto