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SIDR5802EP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 153 A, 2900 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIDR5802EP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark42AK5551
Gama de produtosTrenchFET Gen V Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.320 |
| 10+ | $ 2.780 |
| 25+ | $ 2.540 |
| 50+ | $ 2.320 |
| 100+ | $ 2.080 |
| 250+ | $ 1.920 |
| 500+ | $ 1.740 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.32
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIDR5802EP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark42AK5551
Gama de produtosTrenchFET Gen V Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id153A
Drain Source On State Resistance2900µohm
On Resistance Rds(on)0.0024ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd150W
Power Dissipation150W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
2900µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
150W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
153A
On Resistance Rds(on)
0.0024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto