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SIDR578EP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 150V, 78A, POWERPAK SO-DC
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIDR578EP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark47AK1666
Gama de produtosTrenchFET Gen V Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.650 |
| 10+ | $ 3.070 |
| 25+ | $ 2.770 |
| 50+ | $ 2.460 |
| 100+ | $ 2.160 |
| 250+ | $ 2.010 |
| 500+ | $ 1.840 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.65
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIDR578EP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark47AK1666
Gama de produtosTrenchFET Gen V Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id78A
Drain Source On State Resistance8800µohm
On Resistance Rds(on)0.0073ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-DC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd150W
Power Dissipation150W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
8800µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO-DC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
150W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
78A
On Resistance Rds(on)
0.0073ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto