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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIDR220DP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark77AH0213
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 56 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.000 |
| 10+ | $ 2.800 |
| 25+ | $ 2.570 |
| 50+ | $ 2.340 |
| 100+ | $ 2.110 |
| 250+ | $ 1.960 |
| 500+ | $ 1.820 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIDR220DP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark77AH0213
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)480µohm
Drain Source On State Resistance580µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation Pd125W
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
On Resistance Rds(on)
480µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
125W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
580µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
