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SIA975DJ-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 4.5 A, 0.07 ohm, PowerPAK SC70, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIA975DJ-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3791
Rodo à Medida97W2600RL
Segmento de fita97W2600
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.070 | $ 1.07 |
| Total Preço | $ 1.07 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.070 |
| 50+ | $ 0.670 |
| 100+ | $ 0.440 |
| 250+ | $ 0.390 |
| 500+ | $ 0.340 |
| 1000+ | $ 0.309 |
| 2500+ | $ 0.294 |
| 5000+ | $ 0.279 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.320 |
| 5000+ | $ 0.313 |
| 10000+ | $ 0.289 |
| 20000+ | $ 0.269 |
| 30000+ | $ 0.251 |
| 50000+ | $ 0.240 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIA975DJ-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3791
Rodo à Medida97W2600RL
Segmento de fita97W2600
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.07ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
SiA975DJ-T1-GE3 is a dual P-channel 12V (D-S) MOSFET. The applications include a load switch, PA switch, and battery switch for portable devices and game consoles.
- TrenchFET® power MOSFET, 100 % Rg tested
- New thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package, small footprint area, low on-resistance
- Drain-source breakdown voltage is -12V min (VGS = 0V, ID = -250μA, TJ = 25°C)
- Gate-source threshold voltage range from -0.4 to -1V (VDS = VGS, ID = -250μA, TJ = 25°C)
- Continuous drain current is -4.5A (TJ = 150°C, TC = 25°C)
- Pulsed drain current is -15A (TA = 25°C)
- Continuous source-drain diode current is -4.5A max (TC = 25°C)
- Maximum power dissipation is 7.8W (TC = 25°C)
- Input capacitance is 1500pF typ (VDS = -6V, VGS = 0V, f = 1MHz, TC = 25°C)
- PowerPAK SC-70 package, operating junction temperature range from -55 to +150°C
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.07ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Continuous Drain Current Id
4.5A
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIA975DJ-T1-GE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto