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SIA910EDJ-T1-GE3
MOSFET, VISHAY SIA910EDJ-T1-GE3
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIA910EDJ-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark97W2599
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.000 |
| 10+ | $ 0.623 |
| 100+ | $ 0.406 |
| 500+ | $ 0.313 |
| 1000+ | $ 0.279 |
| 2500+ | $ 0.245 |
| 10000+ | $ 0.211 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.00
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIA910EDJ-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark97W2599
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source Voltage Vds12V
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.023ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.023ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.023ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Drain Source Voltage Vds
12V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.023ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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